Теплоэнергетические генераторы и радиоизотопные источники энергии

Министерство высшего образовани Россиской Федерации

КГТУ

Кафедра: ЭС и С

РЕФЕРАТ

Тема: теплоэнергитические генераторы и радиоизотопные источники энергии

Разработал: ст-т гр. ЭМ13-2 Семенюка А. В

Проверил: преподаватель Таюрский В. М.

г. Красноярск, 2003 г.

План

1. Термоэлектрические генераторы

1.1. Об­щие све­де­ния о тер­мо­элек­три­че­ских ге­не­ра­то­рах

1.2. Фи­зи­че­ские ос­но­вы ра­бо­ты тер­мо­элек­три­че­ских ге­не­ра­то­ров

1.3. Ба­та­реи тер­мо­элек­три­че­ских эле­мен­тов

2 Радиоизотопные источники энергии

2.1 Об­щие све­де­ния

2.2 Облости применения

2.3 Радиоизотопные термоэлектрические генераторы (ритэги)

1. Термоэлектрические генераторы

1.1 Об­щие све­де­ния о тер­мо­элек­три­че­ских ге­не­ра­то­рах

Тер­мо­элек­три­че­ские ге­не­ра­то­ры (ТЭГ) пред­став­ля­ют со­бой по­лу­про­вод­ни­ко­вые тер­мо­па­ры и пред­на­зна­че­ны для пря­мо­го пре­об­ра­зо­ва­ния те­п­ло­вой энер­гии в элек­тро­энер­гию. они ис­поль­зу­ют­ся в пе­ре­движ­ных АЭУ , пи­таю­щих труд­но­дос­туп­ные объ­ек­ты, ко­то­рые мон­ти­ру­ют­ся в от­да­лен­ных рай­онах Зем­ли (ав­то­ма­ти­че­ские ме­тео­стан­ции, мор­ские мая­ки и т.п.). В пер­спек­ти­ве та­кие объ­ек­ты мо­гут мон­ти­ро­вать­ся на Лу­не или на дру­гих пла­не­тах. В ка­че­ст­ве ис­точ­ни­ков те­п­ла для под­во­да к го­ря­чим спа­ям ТЭГ : ра­дио­ак­тив­ные изо­то­пы (РИ­ТЭГ), ядер­ные ре­ак­то­ры (ЯР­ТЭГ), сол­неч­ные кон­цен­тра­то­ры раз­лич­но­го ис­пол­не­ния (СТЭГ). Ори­ен­ти­ро­вочно при­ни­ма­ют, что при элек­тричес­ких мощ­но­стях от 1 до 10 кВт на КЛА це­ле­со­об­раз­ны РИ­ТЭГ и СТЭГ, а при по­вы­шен­ных уров­нях мощ­но­сти - ЯР­ТЭГ. По­след­ние наи­бо­лее пер­спек­тив­ны для АЭУ КЛА.

Дос­то­ин­ст­ва ТЭГ: боль­шой срок служ­бы, вы­со­кая на­деж­ность, ста­биль­ность па­ра­мет­ров, виб­ро­стой­кость. Не­дос­тат­ки ТЭГ: не­вы­со­кие от­но­си­тель­ные энер­ге­тичес­кие по­ка­за­те­ли: удель­ная мас­са 10-15 кг/кВт, по­верх­но­ст­ная плот­ность мощ­но­сти 10 кВт/м (на еди­ни­цу по­пе­речно­го се­че­ния эле­мен­та ), объ­ем­ная плот­ность мощ­но­сти 200-400 кВт/м3 и срав­ни­тель­но низ­кий КПД пре­об­ра­зо­ва­ния энер­гии (5-8%). При­ме­ни­тель­но к ЛА ТЭГ пред­став­ля­ют со­бой ба­та­реи крем­не-гер­ма­ние­вых тер­мо­элек­тричес­ких эле­мен­тов (ТЭЭ), ко­то­рые по мат­рично­му прин­ци­пу со­еди­не­ны в вет­вях по­сле­до­ва­тель­но, а вет­ви мо­гут иметь ме­ж­ду со­бой па­рал­лель­ные со­еди­не­ния. Ба­та­реи ТЭЭ за­ключены с гер­ме­тичные кон­тей­не­ры, за­пол­нен­ные инерт­ным га­зом во из­бе­жа­ние окис­ле­ния и ста­ре­ния по­лу­про­вод­ни­ков. Пло­ские или ци­лин­д­ричес­кие кон­ст­рук­ции ТЭГ снаб­жа­ют­ся уст­рой­ст­ва­ми для под­во­да те­п­ла на го­рячих спа­ях и для его от­во­да на "хо­лод­ных" спа­ях по­лу­про­вод­ни­ко­вых тер­мо­стол­би­ков. Кон­ст­рук­ция си­ло­вых элек­тро­вы­во­дов ТЭГ долж­на обес­печивать од­но­вре­мен­но тер­мо­плот­ность и элек­тричес­кую изо­ля­цию от кор­пу­са (кон­тей­не­ра), что пред­став­ля­ет дос­та­точно слож­ную тех­ничес­кую за­дачу.

1.2 Фи­зи­че­ские ос­но­вы ра­бо­ты тер­мо­элек­три­че­ских ге­не­ра­то­ров

В ос­но­ве дей­ст­вия лю­бо­го ТЭЭ ле­жат об­ра­ти­мые тер­мо­элек­тричес­кие эф­фек­ты Пель­тье, Том­со­на (Кель­ви­на) и Зебе­ка. Оп­ре­де­ляю­щая роль в ТЭГ при­над­ле­жит эф­фек­ту тер­мо-ЭДС (Зе­бе­ка). Пре­об­ра­зо­ва­ние энер­гии со­про­во­ж­да­ет­ся не­об­ра­ти­мы­ми (дис­си­па­тив­ны­ми) эф­фек­та­ми: пе­ре­дачей те­п­ла за счет те­п­ло­про­вод­но­сти ма­те­риа­ла ТЭЭ и про­те­ка­нии то­ка. Ма­те­риа­лы ТЭЭ с при­ме­ст­ной элек­трон­ной и ды­рочной про­во­ди­мо­стью по­лучают вве­де­ни­ем ле­ги­рую­щих до­ба­вок в кри­стал­лы ос­нов­но­го по­лу­про­вод­ни­ка.

Рис. 1 . Прин­ци­пи­аль­ная схе­ма эле­мен­тар­но­го по­лу­про­вод­ни­ко­во­го ТЭГ

При ра­бочих тем­пе­ра­ту­рах Т 900 100 К це­ле­со­об­раз­ны спла­вы 20-30% Ge-Si, а при Т 600 800 К - ма­те­риа­лы на ос­но­ве тел­лу­ри­дов и се­ле­ни­дов свин­ца, вис­му­та и сурь­мы. Схе­ма крем­ние­во­го ТЭЭ по­ка­за­на на рис. 1. Те­п­ло Q1 под­во­дит­ся к ТЭЭ (ТЭГ) че­рез стен­ку на­гре­ва­те­ля 1 с по­мо­щью те­п­ло­но­си­те­ля ( на­при­мер жид­ко­ме­тал­личес­ко­го), те­п­ло­вой тру­бы или при не­по­сред­ст­вен­ном кон­так­те с зо­ной те­п­ло­вы­де­ле­ния ре­ак­то­ра. Че­рез стен­ку 7 хо­ло­диль­ни­ка те­п­ло Q2 от­во­дит­ся от ТЭГ (из­лучени­ем, те­п­ло­но­си­те­лем или те­п­ло­вой тру­бой). Спаи по­лу­про­вод­ни­ко­вых кри­стал­личес­ких тер­мо­стол­би­ков 4 и 9 об­ра­зо­ва­ны ме­тал­личес­ки­ми ши­на­ми 3 и 5, 8, ко­то­рые элек­тричес­ки изо­ли­ро­ва­ны от сте­нок 1 и 7 слоя­ми ди­элек­три­ка 2, 6 на ос­но­ве ок­си­дов тем­пе­ра­тур Т = Т1-Т2.

Эф­фек­тив­ность ТЭГ обес­печива­ет­ся су­ще­ст­вен­ной раз­но­род­но­стью струк­ту­ры вет­вей 4 и 9. Ветвь р-ти­па с ды­рочной про­во­ди­мо­стью по­лучает­ся вве­де­ни­ем в сплав Si-Ge ак­цеп­тор­ных при­ме­сей ато­мар­но­го бо­ра В. Ветвь п-ти­па с элек­трон­ной про­во­ди­мо­стью об­ра­зу­ет­ся при ле­ги­ро­ва­нии Si-Ge до­нор­ны­ми ато­ма­ми фос­фо­ра Р. Из-за по­вы­шен­ной хи­мичес­кой ак­тив­но­сти и ма­лой ме­ха­ничес­кой прочнос­ти по­лу­про­вод­ни­ко­вых ма­те­риа­лов со­еди­не­ние их с ши­на­ми 3, 5, 8 вы­пол­ня­ет­ся про­слой­ка­ми из спла­ва

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать