Поверхневі напівпровідникові хвилі в напівпровідникових структурах

Міністерство освіти України

Національний педагогічний університет

ім. М.П.Драгоманова

Курсова робота з загальної фізики на тему:

“Поверхневі електромагнітні хвилі в напівпровідникових кристалах.”

Київ - 1998

План.

1. Вступ.

2. Теорія оптичних констант.

3. Що таке “Поверхневий поляритон”.

4. Основи методу ППВВ.

5. Дослідження структури ZnO на сафірі методами ІЧ спектроскопії.

6. Поверхневі поляритони в стуктурі ZnO на сафірі.

7. Висновки.

8. Застосування матеріалів роботи в середній школі.

9. Список використаної літетатури.

Вступ.

Одним з перспективних напрямків сучасної фізики є дослідження поверхні твердого тіла та взаємодії поверхневих електромагнітних хвиль інфрачервоного діапазону з поверхнею та тонкими шарами напівпровідників . Поверхня впливаєна ефективність роботи напівпровідникових приладів. З різними аспектами фізики поверхні пов`язані проблеми створення плівочних елементів, нанесення зміцнюючого покриття,міцності, коррозії, адсорбції та ін.

При взаємодії світлової хвилі з поверхнею твердого тіла виникає поверхнева електромагнітна хвиля. Слід зауважити , що під поверхневою електромагнітною хвилею розуміють хвилю, максимум якої знаходиться на поверхні твердого тіла і амплітуда поля якої зменшується по експоненціальному закону при віддаленні від межі розподілу середовищ. Квазічастинки, які відповідають цим коливанням, що мають змішаний електромагнітно-механічний характер, називають поверхневими поляритонами (ПП). Не зважаючи на екзотичну назву, ці хвилі можуть бути знайдені в рамках феноменологічної електродинаміки як роз`вязки рівнянь Максвелла для межі двох середовищ . Дисперсія таких поверхневих хвиль в кристалі визначається залежністю його діелектричної проникності від частоти падаючого світла. Під фононом розуміють квазічастинку , що відповідає механічним коливанням решітки, тобто періодичним зміщенням атомів відносно положення рівноваги. Плазмон - це теж квазічастинка, але вона описує коливання вільних електронів навколо важких іонів. При деяких умовах плазмони та фонони можуть взаємодіяти.

Фотони при зіткненні з ідеально гладкою межею розділу не взаємодіють або “не бачать” поверхневі поляритони на цій межі.Якщо ж поблизу поверхні покладено призму, або сама поверхня шорохувата, чи на неї нанесена дифракційна решітка, то поверхневі поляритони можуть збуджуватись падаючим фотоном. Ці явища покладено в основу дослідження поверхневих хвиль. Такими методами є :

* метод модифікованого багатократного порушеного внутрішнього відбивання ;

* методмодифікованого повного внутрішнього відбиття;

* метод комбінаційного розсіяння світла.

Зараз розроблено ефективні методи дослідження структури поверхні. В них використовується розповсюдження в кристалах світловиххвиль з певними значеннями частоти та хвильового вектора. Порівняння залежності , отриманої з рівнянь Максвела, з експериментально отриманою дисперсією хвиль, що розповсюджуються в кристалах , дає можливість отримувати інформацію про спектр поверхневих збуджень середовища.

Вибір карбіда кремнію в ролі одного з матеріалів для експериментальних досліджень обумовлений перспективою його використання в напівпровідниковій мікроелектроніці.Дійсно, прилади на основі карбіду кремнію, завдяки його унікальним фізико-хімічним властивостям,можуть використовувати в таких галузях науки і техніки, де потрібна підвищена надійність, радіаційна стійкість, робота при високих температурах.

Електрофізичні властивості карбіду кремнію відчутно залежать від конкретного політипу. Зараз відомо понад 200 модифікацій карбіду кремнію.

Позначення політипів в символах Рамсделла складається із цифри, що позначає число шарів вздовж осі С, та букви Н або R в залежності від типу кристалу - гексагонального чи ромбоедричного.

Найбільш часто зустрічаються політипи SiC 6H, SiC 15R та SiC. Вони являються хорошими модельними кристалами для дослідження ПП, а також впливу різних поверхневих обробок на властивості ПП. Окрім цього, ідеальні кристали карбіду кремнію та епітаксіальні шари SiC на діелектричних підкладинках є перспективними для використання їх в мікроелектроніці та в інтегральній оптиці.

1. Теорія оптичних констант

Розповсюдження пучка променів в напівпровідниковому кристалі може бути описане розв`язком рівнянь Максвелла :

, (1.1)

В другому рівнянні системи , на відміну від діелектриків,врахована густина струму провідності , оскільки більшість напівпровідників по електричним властивостям ближчі до металів, ніж до діелектриків.

В загальному випадку питома електропровідність , діелектрична та магнітна проникності (відносні величини, що є функціями частоти) напівпровідника є анізотропними та представляються тензорами другого (або вище) рангів.

Оскільки

,

то:

Алеа grad(div), тому

(1.2)

Аналогічне рівняння можна отримати і для вектора напруженості магнітного поля .

Одним із можливих розв`язків рівняння (1.2) для вектора напруженості електричного поля є

(1.3)

Це рівняння являє собою хвилю, що розповсюджуєтьсяв напрямі z зі швидкістю v, - кутова частота. Розв`язок (1.3) задовольняє (1.2) при умові

(1.4) аце задовольняє комплексному показнику заломлення

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать