Склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник

ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

ІВОН Олександр Іванович

УДК 536.425+536.764+666.266.6

СКЛОКЕРАМІЧНІ МАТЕРІАЛИ НА ОСНОВІ

КОМПОНЕНТА З ФАЗОВИМ ПЕРЕХОДОМ

МЕТАЛ - НАПІВПРОВІДНИК

01.04.07- фізика твердого тіла

АВТОРЕФЕРАТ

дисертації на здобуття наукового ступеня

доктора фізико-математичних наук

Дніпропетровськ - 2008

Дисертацією є рукопис.

Робота виконана в Дніпропетровському національному університеті,

Міністерство освіти і науки України.

Офіційні опоненти:

доктор фізико-математичних наук, член-кореспондент НАН України

Григорьєв Олег Миколайович

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України,

завідувач відділу конструкційної кераміки та керметів;

доктор фізико-математичних наук, професор

Прокопенко Ігор Васильович

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,

заступник директора

доктор фізико-математичних наук, професор

Волнянський Михайло Дмитрович

Дніпропетровський національний університет,

професор кафедри „Фізики твердого тіла і оптоелектроніки”.

Захист відбудеться “30“ травня 2008 р. о 14³⁰ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050, м. Дніпропетровськ 50, вул. Наукова, 10, корпус 11, ауд. 300).

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Дніпропетровського національного університету (49050, м. Дніпропетровськ 50, вул. Казакова, 8).

Відгук на автореферат дисертації надсилати на адресу: 49010, м. Дніпропетровськ, 10, пр. Гагаріна, 72.

Автореферат розісланий “9“ квітня 2008 р.

Вчений секретар

спеціалізованої вченої ради Спиридонова І. М.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми. Фазовий перехід метал-напівпровідник (ФПМН) є переходом першого роду, який спостерігається в оксидах та сульфідах перехідних металів і супроводжується перебудовою їх енергетичної структури. Ця перебудова відбувається завдяки електронно-електронній або електронно-фононній взаємодіям, які відіграють значну роль в формуванні енергетичної структури матеріалу через вузькість дозволених електронних зон. Питання про те, яка з цих взаємодій ініціює ФПМН, до цього часу є дискусійним і потребує подальших досліджень. Завдяки перебудові енергетичної структури при ФПМН спостерігається унікальне фізичне явище - різка зміна (стрибок) електричних, оптичних, магнітних та інших параметрів матеріалу. Це має значний прикладний інтерес для створення на основі матеріалів з ФПМН різноманітних електронних, оптоелектронних та оптичних приладів: критичних терморезисторів, електричних і оптичних перемикачів, елементів пам’яті та відображення інформації, болометрів, „інтелектуальних” вікон та інших. Тому дослідження матеріалів з ФПМН має важливе наукове і прикладне значення.

Незважаючи на широкі можливості практичного використання матеріалів з ФПМН, багато з них до цього часу не реалізовано. Причиною є незворотні зміни (деградація) фізичних параметрів кристалів з ФПМН при термоциклюванні через температуру фазового переходу T_t . Фізичні процеси, які призводять до деградації, досліджені мало, а шляхи її подолання невизначені. Більшість наукових праць, пов’язаних з дослідженням і використанням матеріалів з ФПМН, присвячена плівкам, що обумовлено їх досить стабільною поведінкою при термоциклюванні. Проте плівки, на відміну від об’ємних матеріалів, нездатні працювати при значних електричних струмах, і тому непридатні, наприклад, для використання в силовій електроніці. Перспективними для цього є об’ємні склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник. Відомостей про такі матеріали в науковій літературі мало, а фізичні процеси, які викликає в них ФПМН, практично не вивчались.

В зв’язку з цим синтез і комплексне дослідження об’ємних склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник, які мають властивості, притаманні такому переходу, і не виявляють деградації при термоциклюванні є актуальною науковою і прикладною задачею .

Яскравим представником матеріалів з ФПМН є діоксид ванадію (VO₂ ), який має зручну для багатьох практичних застосувань температуру переходу T_t ~341 K і стрибок електропровідності в її межах 10² - 10⁵ . Це визначило вибір в роботі VO₂ як основи склокерамічних матеріалів. Дослідження таких матеріалів дозволяє отримати наукові результати, які з урахуванням спільності фізичних процесів, притаманних різним сполукам з таким переходом, дозволяє узагальнити їх на весь клас склокерамічних матеріалів на основі компонента з ФПМН.

Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Напрямок дисертаційної роботи пов’язаний з планами науково-дослідних робіт і держбюджетними темами, які виконувались і виконуються в Дніпропетровському національному університеті на факультеті „Фізики, електроніки та комп’ютерних систем”: координаційний план АН СРСР на 1981–1985 р. за темою „Исследование свойств материалов твердотельной электроники с целью их оптимального использования” (звіт з НДР за 1983 та 1985 р., № держреєстр. 81081755);

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать