Исследование нановолокон карбида кремния при помощи сканирующей туннельной микроскопии
Scanning tunneling microscopy investigations of silicon carbide nanowires
Абстракт. Изображение сканирующей туннельной микроскопии СТМ получили на поверхности карбида кремния, который получили термическим углероживанием из галогенуглеродов (синтез горения). Морфология нановолокон показывает траншееподобные особенности, расположенные перпендикулярно к оси волокна, что говорит о наличии микрограней на их стенках. Впервые представлены изображения высоко – разрешающей СТМ поверхности SiC. Результаты находятся в соответствии с предыдущими докладами, подтверждающими наличие микрограней на поверхности нитевидных кристаллов SiC.
Целью данной статьи служит исследование морфологии поверхности нановолокон SiC, полученных термическим углероживанием из галогенуглеродов, при помощи метода СТМ.
Материалы и методы. Все топографические изображения были записаны при положительном напряжении образца (туннельный эффект в простых электронных состояниях образца). Нановолокна карбида кремния получены термическим наугрероживанием из галогенуглеродов (синтез горения). Первоначальные реагенты состояли из политетрафлюороэтилена (57.8% масс) и дисилицида кальция (42.2% масс), что дает наибольший выход SiC. полученный продукт очищался путем обжига на воздухе (900 К, 1ч) и затем промывался КОН (30% масс), H2 SO4 (96% масс) и HCl (36% масс). Промывка материала дистиллятом и просушивание следовали за каждым этапом очистки.часть очищенного продукта растворяли в 1,2-дихлорэтане при помощи ультразвука (около 15 мин). Затем каплю смеси ложили на подложку пиролитического графита высокой ориентации или золото (1 1 1) и оставляли образец до высыхания.
Выводы. Высоко- разрешающая СТМ топография показывает траншееподобные свойства на поверхности нановолокон перпендикулярно их оси. Наблюдаемые высоты шагов и изображения высокого разрешения, полученные на стенках нановолокон, объясняются наличием граней (1 0 0), которые, как считают, являются углеродными окончаниями. Данная работа также показывает, что СТМ служит мощной методикой для исследования поверхности наноструктур SiC и может применяться для показа их локальной морфологии на атомном уровне.
Высокое качество кристаллических тонких эпислоев 4 H - SiC , выращенных из метилтрихлорсилана (МТС)
Very high crystalline quality of thick 4H-SiC epilayers grown from methyltrichlorosilane
Абстракт. Эпислои 4H-SiC толщиной 200 мкм при помощи хлорид-основанного химического осаждения из газовой фазы с использованием МТС в качестве единственного прекурсора. Высокое кристаллическое качество выращенных эпислоев продемонстрировано кривыми качания высокоразрешающей рентгеновской дифракции со значением полноширинного полумаксимума около 9 арксек. Высокое качество эпислоя в дальнейшем показано низко температурной фотолюминесценцией. Высокое кристаллическое качество, достигнутое для тонких эпислоев, выращенных всего за 2 часа при 1600о С, подтверждает, что МТС является подходящей молекулой-реагентом для выращивания массивного SiC.
Цель работы – показать возможность выращивания эпислоев толщиной до 200 мкм, достаточной для 25 кВ блокирующих карбид кремниевых устройств, за очень короткое время.
Новизна: получили достаточно толстый слой SiC за очень короткий срок.
Материалы и методы. Эпислои были гомоэпитаксиально выращены в горизонтальном горячестеночном реакторе с использованием пластинок 4H-SiC (0001) n-типа в качестве подложки, которые имели Si-поверхность и обрезаны в направлении (1120). Эпислои выращивались 2 часа с молярной долей МТС, соответствующей скорости роста 100 мкм/ч. Никаких дополнительных добавок не вводили в газовою смесь в процессе выращивания. Используемые методики исследования полученных эпислоев : инфракрасная рефракция с преобразованием Фурье, изучение поперечного сечения эпислоев оптической микроскопией, высокоразрешающая рентгеновская дифракция, низкотемпературная фотолюминесценция.
Выводы. В данной работе показано, что хлор-содержащий реагент МТС может быть использован как единственный молекулярный прекурсор SiC для выращивания тонких низко примесных, высоко качественных кристаллических эпислоев SiC при высоких скоростях роста (>100 мкм/ч). Тот факт, что выращивание SiC из МТС, дающее один кристаллический эпислойтолщиной 200 мкм высокого качества, фиксирует, что МТС может служить хорошим прекурсором также и для выращивания массивного SiC.
Подготовка, описание и фотолюминесцентные свойства ультра длинных нанопроводов SiC / SiOx
Preparation, characterization and photoluminescence properties of ultra long SiC/SiOx nanocable.
Абстракт. Нанопровода с ядром SiC и поверхностью SiOx в несколько милиметров длинной подготовлены пиролизом нанопорошка SiO2 с добавлением поли(диметил силоксана) (ПДМС) в отсутствии катализатора во вращающейся печи при 1050о С в Ar. Изучалось влияние условий синтеза (температура синтеза и время охлаждения) на продукт. Продукт, полученный при различных условиях, характеризовался рентгеновской дифракцией, переносящей электронно
Наверняка у вас есть товары или услуги, продажа которых приносит вам максимальную прибыль. Для быстрого старта в сети вам необходимо создание посадочной страницы (одностраничного сайта), на которой будет размещена информация о маржинальных товарах/услугах интернет магазина. За 8 лет опыта разработки конверсионных страниц мы выработали оптимальную структуру, которая позволит привлекать через landing page больше продаж. На такую структуру «одевается» ваш контент — фирменный стиль, тексты, фотографии, уникальные торговые предложения, после чего страница выходит в свет. Разработка лендинга и запуск в сети — до 7 рабочих дней. Стоит отметить, что в разработку самой посадочной страницы входит и написание копирайтером продающих текстов для вашего бизнеса, чтобы каждый посетитель страницы захотел совершить покупку именно у вас. Результат: качественно разработаная продающая посадочная страница, которая готова приносить вам новых клиентов.