Усилитель промежуточной частоты

РГРТА

Кафедра КПРА

Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники”

На тему: ”Усилитель промежуточной частоты”

Выполнил ст. гр. 9 52

Проверил:

Рязань 200 2

Содержание

Кафедра КПРА.. 1

Рязань 2001. 1

Содержание. 2

Исходные данные: . 3

Введение . 4

Анализ технического задания . 5

Разработка топологии . 6

Резисторы. 6

Конденсаторы .. 11

Заключение…………………………………………………………………………………………….16

Список литературы .. 17

Исходные данные:

Номиналы

R1, R10 – Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 – Конденсатор 0.03 мкФ 2шт

R2 – Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2, С5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт

R3 – Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3, С6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт

R4, R7 – Резистор 15.0 kОМ 2шт;

R5 – Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1, VT2 – Транзистор КТ324В 2шт

R6 – Резистор 510 ОМ 1шт; (СБО.336.031 ТУ)

R8 – Резистор 0.34 kОМ 1шт;

R9 – Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 – Трансформатор ВЧ. 1шт

Плату следует изготовить методом фотополитографии.

Эксплуатационные требования: Т_р = -15⁰ +40⁰ С, t_э = 1000 ч., корпус, серия К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.

В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.

Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.

Анализ технического задания

В данной курсовой работе необходимо разработать топологический чертеж усилителя промежуточной частоты. Топологическим называется такой чертеж интегральной микросхемы, в котором указана форма, местоположение и коммутативная связь элементов на подложке. В разработку топологии микросхемы входит: расчет геометрии каждого пленочного элемента и допусков на его размеры, выбор материала для них; определение оптимальных условий расположения пленочных и навесных элементов (при этом должны учитываться рассеиваемые мощности элементов, возможные паразитные связи между ними и их влияние на электрические параметры микросхемы); расчет размеров и выбор материала подложки, определение последовательности и выбор технологии напыления пленок.

Плату данного устройства необходимо изготовить фотолитографическим методом, т.е. нужные конфигурации пленок получают в процессе травления. Данная плата должна стабильно работать диапазоне температур от –15 до +40⁰ С.

Разработка топологии

Резисторы.

В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы. Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резистора, выбирают подходящий материал. При этом руководствуются следующими соображениями: необходимо, чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь, а развиваемая в нем температура не должна нарушать стабильность параметров, ускорять процессы старения, выводить величину сопротивления за рамки допуска. По возможности стараются применить более толстые пленки, т.к. у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления.

Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС-3710, у которого имеются следующие характеристики: диапазон сопротивлений 10…20000 Ом, Удельное сопротивление 100…2000 Ом/, Удельная мощность 20 мВт/мм² , ТКС M_{a r} = 3.5*10^-4 , d_{a r} = 1.5*10^-4 , коэффициент старения M_КСТ = 2*10^-6 ч^-1 , d_КСТ = 0.1*10^-6 .

Так же имеются конструкционные и технологические ограничения: минимальная длинна резистора l₀ = 0.1 мм, минима

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать