BigEdu.ru
» » » Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Вернуться назад

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

3.1

Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры:

1. Номинальный ток коллектора Iк ном =9мА.

2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном =13В

3. Верхняя граничная частота fa =90МГц

4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах =60мВт

5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах =18В

6. Максимальный ток коллектора Iк мах =12мА

7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах =74°С

8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ β=65

3.2

1. Время жизни ННЗ τср =5мкс

2. Материал кристалла Ge

3. Тип структуры p-n-p

4. Ёмкость коллекторного перехода Ск =2пФ

5. Коофициент запаса по частоте F Х1 =1,3

6. Перепад Nб Х2 = 500

7. Отношение концентраций NОЭ / Nб =3

8. Толщина диффузионного слоя hдс = мкм

9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек = слус

3.3

Ak - площадь коллектора;

Аэ - площадь эмитера;

a - градиент концентрации примесей;

- отношение подвижностей электронов и дырок;

Сз.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;

Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;

Сз.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;

Дп , Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок;

Днб , Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;

Днэ , Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;

Е — напряженность электрического поля;

De - ширина запрещенной зоны;

¦ - частота;

¦a - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;

¦Т » ¦b - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером;

¦max - максимальная частота генерации;

hkp - толщина кристалла;

hэ , hk — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;

Ln , Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок;

Lнб , Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;

Nб , Nk , Nэ — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;

Nб (х ) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;

Nэ (x ) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора;

ni - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике;

nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;

Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Рэ - периметр эмитера;

Рn , Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа;

Rб , Rэ , Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;

Rm , - тепловое сопротивление;

rб - эквивалентное сопротивление базы;

rб , rб ’’ - омическое и диффузное сопротивление базы;

rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле;

rэ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;

S — скорость поверхностной рекомбинации;

Т — абсолютная температура;

Тк — температура корпуса транзистора;

Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода;

W - геометрическая толщина базы;

Wg — действующая толщина базы;

Uэб - напряжение эмитер-база;

Uкб - напряжение коллектор-база;

Ukpn - контактная разность потенциалов;

Uпроб - напряжение пробоя;

Uпрок - напряжение прокола транзистора;

Uк - напряжение коллекторного перехода;

Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе;

Iэ — ток эмитера;

Iб — ток базы;

Iко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;

Ikmax - максимально допустимый ток коллектора;

Iген - ток термогенерации в области объемного заряда;

Iрек — ток рекомбинации;

a - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

aо - низкочастотное значение a;

a* — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда;

b — коэффициент передачи тока в с

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать
Рефераты по коммуникации и связи 3.1 Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны
Оценок: 1000 (Средняя 5 из 5)

Наверняка у вас есть товары или услуги, продажа которых приносит вам максимальную прибыль. Для быстрого старта в сети вам необходимо создание посадочной страницы (одностраничного сайта), на которой будет размещена информация о маржинальных товарах/услугах интернет магазина. За 8 лет опыта разработки конверсионных страниц мы выработали оптимальную структуру, которая позволит привлекать через landing page больше продаж. На такую структуру «одевается» ваш контент — фирменный стиль, тексты, фотографии, уникальные торговые предложения, после чего страница выходит в свет. Разработка лендинга и запуск в сети — до 7 рабочих дней. Стоит отметить, что в разработку самой посадочной страницы входит и написание копирайтером продающих текстов для вашего бизнеса, чтобы каждый посетитель страницы захотел совершить покупку именно у вас. Результат: качественно разработаная продающая посадочная страница, которая готова приносить вам новых клиентов.

© 2016 - 2022 BigEdu.ru