3.1
Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры:
1. Номинальный ток коллектора Iк ном =9мА.
2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном =13В
3. Верхняя граничная частота fa =90МГц
4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах =60мВт
5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах =18В
6. Максимальный ток коллектора Iк мах =12мА
7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах =74°С
8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ β=65
1. Время жизни ННЗ τср =5мкс
2. Материал кристалла Ge
3. Тип структуры p-n-p
4. Ёмкость коллекторного перехода Ск =2пФ
5. Коофициент запаса по частоте F Х1 =1,3
6. Перепад Nб Х2 = 500
7. Отношение концентраций NОЭ / Nб =3
8. Толщина диффузионного слоя hдс = мкм
9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек = слус
Ak - площадь коллектора;
Аэ - площадь эмитера;
a - градиент концентрации примесей;
- отношение подвижностей электронов и дырок;
Сз.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;
Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;
Сз.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;
Дп , Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок;
Днб , Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;
Днэ , Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;
Е — напряженность электрического поля;
De - ширина запрещенной зоны;
¦ - частота;
¦a - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;
¦Т » ¦b - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером;
¦max - максимальная частота генерации;
hkp - толщина кристалла;
hэ , hk — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;
Ln , Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок;
Lнб , Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;
Nб , Nk , Nэ — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;
Nб (х ) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;
Nэ (x ) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора;
ni - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике;
nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;
Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;
Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;
Рэ - периметр эмитера;
Рn , Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа;
Rб , Rэ , Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;
Rm , - тепловое сопротивление;
rб - эквивалентное сопротивление базы;
rб ’ , rб ’’ - омическое и диффузное сопротивление базы;
rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле;
rэ ’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;
S — скорость поверхностной рекомбинации;
Т — абсолютная температура;
Тк — температура корпуса транзистора;
Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода;
W - геометрическая толщина базы;
Wg — действующая толщина базы;
Uэб - напряжение эмитер-база;
Uкб - напряжение коллектор-база;
Ukpn - контактная разность потенциалов;
Uпроб - напряжение пробоя;
Uпрок - напряжение прокола транзистора;
Uк - напряжение коллекторного перехода;
Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе;
Iэ — ток эмитера;
Iб — ток базы;
Iко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;
Ikmax - максимально допустимый ток коллектора;
Iген - ток термогенерации в области объемного заряда;
Iрек — ток рекомбинации;
a - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;
aо - низкочастотное значение a;
a* — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда;
b — коэффициент передачи тока в с
Наверняка у вас есть товары или услуги, продажа которых приносит вам максимальную прибыль. Для быстрого старта в сети вам необходимо создание посадочной страницы (одностраничного сайта), на которой будет размещена информация о маржинальных товарах/услугах интернет магазина. За 8 лет опыта разработки конверсионных страниц мы выработали оптимальную структуру, которая позволит привлекать через landing page больше продаж. На такую структуру «одевается» ваш контент — фирменный стиль, тексты, фотографии, уникальные торговые предложения, после чего страница выходит в свет. Разработка лендинга и запуск в сети — до 7 рабочих дней. Стоит отметить, что в разработку самой посадочной страницы входит и написание копирайтером продающих текстов для вашего бизнеса, чтобы каждый посетитель страницы захотел совершить покупку именно у вас. Результат: качественно разработаная продающая посадочная страница, которая готова приносить вам новых клиентов.