Эффект магнитоимпеданса

КУРСОВАЯ РАБОТА

Эффект магнитоимпеданса

ИРКУТСК-2009

Содержание

Введение

1. Теоретические основы магнитного импеданса

1.1 Эффект магнитного импеданса

1.2 Основные факторы, влияющие на МИ-эффект

1.2.1 Влияние упругих растягивающих напряжений на магнитоимпеданс аморфных фольг

1.2.2 Температурная зависимость магнитного импеданса

2. Методика исследования магнитного импеданса

3. Практическое применение магнитного импеданса

3.1 Введение

3.2 Датчики магнитного поля и механических величин на основе магнитоимпедансного эффекта

3.2.1 Датчики магнитного поля на основе магнитного импеданса

3.2.2 Датчики механических величин на основе магнитоимпедансного эффекта в аморфных ферромагнитных сплавах

Заключение

Список используемой литературы

Введение

Одной из основных задач исследований физики магнитных явлений, прикладной электродинамики и радиоэлектроники на протяжении последних более чем 10 лет является изучение эффекта магнитоимпеданса. Эффект магнитного импеданса заключается в сильном изменении полного сопротивления проводника переменному току во внешнем магнитном поле. Пристальное внимание исследователей на эффект магнитоимпеданса было обращено сравнительно недавно. Интерес к нему объясняется тем, что в некоторых материалах было обнаружено изменение импеданса во внешнем магнитном поле в два и более раз. Такое значительное изменение импеданса в литературе обычно называют эффектом гигантского магнитоимпеданса, или кратко, ГМИ-эффектом. Доступная технология и простая техника измерений стимулировали поиск новых материалов, обладающих свойствами ГМИ-эффекта, а также детальное исследование ГМИ на высоких и низких частотах. Высокая чувствительность ГМИ-эффекта к внешним воздействиям открывает возможности для создания датчиков на его основе. В частности, ГМИ-датчики могут использоваться для магнитной дефектоскопии газо- и нефтепроводов, в медицине, в градиентометрах и т.д. Кроме того, магнитоимпедансные материалы используются в электронных устройствах, таких как замедляющие устройства, фильтры, фазовращатели, модуляторы. Миниатюрные ГМИ-элементы могут быть использованы для портативных устройств радиосвязи. В сравнении с другими материалами ГМИ-структуры имеют преимущества в чувствительности, скорости обрабатывания и стоимости изготовления

Таким образом, исследование магнитного импеданса представляется весьма актуальным, так как пополняет знания об особенностях этого эффекта и может расширить область его практического применения.

Целью данной работы является знакомство с теоретическими основами магнитного импеданса и методикой его исследования. Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Изучить научную литературу по теме исследования.

2. Разобраться с основными факторами, влияющими на эффект магнитоимпеданса.

3. На практике познакомиться с методикой исследования магнитного импеданса.

4. Рассмотреть возможности практического применения эффекта магнитоимпеданса.

Работа состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы.

Первая глава носит обзорный характер. Проведен анализ основных работ, посвященных МИ-эффекту. Также проведен анализ работ, посвященных влиянию упругих растягивающих напряжений на МИ-эффект в аморфных фольгах; работ, посвященных изучению температурных зависимостей свойств аморфных ферромагнетиков.Во второй главе описана экспериментальная установка и методика проведения исследований магнитоимпеданса.

В третьей главе рассмотрены возможности практического применения ГМИ-эффекта.

В заключение приводятся основные результаты исследования.

1. Теоретические основы магнитного импеданса

1.1 Эффект магнитного импеданса

Явление магнитного импеданса было открыто более 70 лет назад в работах Е.П. Харрисона с соавторами, выполненных на железо-никелевых проволоках. Термин «магнитный импеданс» не использовался ни в этих первых публикациях, ни в первых расчетах проведенных позднее.

В 1991г. В.Е. Махоткин с соавторами создали высокочувствительный датчик малых магнитных полей с чувствительным элементом в виде аморфной ленты FeCoSiB, который работал на принципе изменения импеданса под воздействием внешнего магнитного поля. Авторы этой работы, посвященной созданию конкретного прототипа датчика магнитных полей, не обсуждали причины возникновения эффекта и термин «магнитный импеданс» не использовали.

Не был термин «магнитный импеданс» введен и в ранних работах группы К. Мори, ставших предвестниками открытия заново явления магнитоимпеданса в 1994г.

Хотя уже первые эксперименты, в которых наблюдалось изменение импеданса пермаллоевых проволок при приложении внешнего поля, были объяснены на основе классического скин-эффекта и зависимости глубины скин-слоя от величины эффективной магнитной проницаемости, Е.П. Харрисон с соавторами так и не добились повторяемости результатов. Позднее появились более совершенные технологии производства материалов с высокой магнитной проницаемостью, которые обеспечили повторяемость результатов ГМИ-исследований и возможность контролируемой разработки ГМИ-материалов.[3]

ГМИ-образцы разрабатываются различными методами в виде проволок, лент, тонких пленок, много

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать