Конструкционные расчёты резисторов

Пояснительная записка к курсовому проекту

по курсу “Технологические процессы микроэлектроники”

Рязань 2009

Содержание

Исходные данные

Введение

Анализ технического задания

Расчёт резисторов

Расчёт мощности резисторов

Расчёт прямолинейного резистора

Расчёт резистора типа “квадрат”

Расчёт площади платы. Выбор типа подложки и корпуса

Заключение

Список литературы

Исходные данные

Номиналы:

R1– Резистор 6.5 кОм 1шт;

R2,R8– Резистор 120 Ом 2шт;

R3– Резистор 3.5 кОм 1шт;

R4– Резистор 2.5 кОм 1шт;

R5– Резистор 2.9 кОм 1шт;

R6– Резистор 1.0 кОм 1шт;

R7– Резистор 30.0 кОм 1шт;

V1, V2, V5 – Транзистор 2Т317В 2шт;

V3,V4 – Диод 2Д901В 2 шт.

Плату следует изготовить методом фотолитографии.

Эксплуатационные требования: Т_р = -30⁰ … +40⁰ С, t_э = 4500 ч..

Введение

Цель данного курсового проекта, изучение методики и приобретение практических навыков в проведение конструкторских расчётов резисторов для интегральных микросхем и микросборок, изучение номенклатуры и характеристик основных резистивных элементов.

Интегральная микросхема – микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразование и обработки сигналов и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых между собой элементов (или элементов и компонентов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приёмки, поставки и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Микросборка - микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию и состоящее из элементов и компонентов и (или) интегральных микросхем и других радиоэлементов в различных сочетаниях, разрабатываемых для конкретной радиоэлектронной аппаратуры с целью улучшения показателей её комплексной миниатюризации.

Элемент интегральной микросхемы – нераздельно выполненная часть интегральной микросхемы, реализующая функцию простого электрорадиоэлемента.

Компонент – самостоятельная часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента.

Важными характеристиками микросхем являются степень интеграции и плотность упаковки.

Степень интеграции – показатель сложности микросхемы, характеризующийся числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

K = lnN(1)

где N – общее количество элементов и компонентов в микросхеме.

Величина К округляется до ближайшего целого числа.

Если К 1 – простая интегральная микросхема;

1 К 2 – средняя интегральная микросхема;

2 К 4 – большая интегральная микросхема;

К 4 – сверхбольшая интегральная микросхема;

Плотность упаковки – отношение числа элементов и компонентов микросхемы к её объёму.

Этот показатель характеризует уровень развития технологии.

Достоинства аппаратуры, создаваемой на основе микроэлектронных изделий:

· резкое уменьшение габаритов вновь создаваемых изделий;

· увеличение надёжности;

· повышение ремонтных характеристик;

· более низкая себестоимость изготовления.

По конструктивно – технологическому исполнению интегральные микросхемы подразделяются на: полупроводниковые, плёночные, гибридные.

Полупроводниковые микросхемы - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объёме и (или) на поверхности полупроводника в едином технологическом цикле методами полупроводниковой технологии. Существует три основные технологии изготовления полупроводниковых микросхем:

· биполярная технология;

· МДП – технология;

· МОП – технология (при дальнейшем развитии – КМОП - технология).

Плёночные микросхемы - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде плёнок методами плёночной технологии.

В зависимости от толщины плёнок и способа их нанесения различают тонкоплёночные (толщина плёнки до 1 мкм) и толстоплёночные (толщина плёнки более 1 мкм) интегральные микросхемы. Качественные различия между тонкоплёночными и толстоплёночными микросхемами заключены в различии технологий их изготовления.

Гибридные микросхемы - интегральная микросхема, в состав которых входят плёночные элементы и компоненты.

Полупроводниковые и тонкоплёночные интегральные микросхемы взаимно дополняют друг друга, пока не созданы микросхемы, в производстве которых использовался только один вид технологии.

Анализ технического задания

В данном курсовом проекте нужно разработать микросборку фотолитографическим способом.

Фотолитографический технологический процесс основан на термовакуумном, ионно-плазменном, катодном, магнетронном напылении нескольких сплошных слоёв из различных материалов с последующим получением конфигурации каждого слоя методом фотолитографии.

Достоинства: высокая точность изготовления и плотность размещения элементов на подложке.

Недостатки: метод фотолитографии нельзя применять для создания многослойных конструкций тонкоплёночных интегральных микросхем, т.к. каждый раз при получении рисунка очередного слоя требуется обработка подложки травильным раствором, что негативно сказывается на других слоях с возможным изменением их электрофизических свойст

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать