Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Задание на курсовое проектирование

Тема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Срок представления проекта к защите –

Исходные данные для проектирования

Схема электрическая принципиальная, таблица электрических параметров элементов усилителя

Содержание пояснительной записки курсового проекта:

Выбор физической структуры полупроводниковой ИМС на БП-транзисторах

Расчёт геометрических размеров элементов ИМС

Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя

Перечень графического материала:

Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя

Руководитель проекта _________________________

Задание принял к исполнению ________________________

Реферат

Пояснительная записка содержит 30 страниц, 3 рисунка, 4 использованных источников, 1 приложение.

Перчень ключевых слов: принципиальная схема, широкополосный усилитель, расчет геометрических размеров, эскиз топологии.

Объект разработки: топология ИМС широкополосного усилителя.

Цель работы: расчет геометрических размеров элементов схемы усилителя, конструирование эскиза топологии.

Методы разработки: конструирование эскиза топологии с помощью пакета программ AutoCAD.

Полученные результаты: библиотека элементов усилителя, эскиз топологии в формате AutoCAD.

Степень внедрения: не внедрено.

Область применения: не применяется.

Основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики: количество слоев в кристалле – 6, количество элементов в принципиальной схеме –20 элементов, из них: 9 n-p-n транзистора, 9 резисторов.

Содержание

Введение

1. Общие принципы построения топологии биполярных ИМС

1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС

2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС

2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов

2.2 Расчет геометрических размеров резисторов

3 Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя

3.1 Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора

3.2 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора

4 Основные правила проектирования топологии ИМС

4.1 Проектирование топологии ИМС

Заключение

Список использованных источников

Приложение А. Эскиз топологии широкополосного усилителя

Введение

Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС.

В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования:

получение исходных данных;

расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов;

разработка эскиза топологии;

разработка предварительных вариантов топологии;

выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.

Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов ИМС широкополосного усилителя, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая принципиальная и электрические параметры.

Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами.

Разработанная топология полупроводниковой ИМС – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем.

1 Общие принципы построения топологии биполярных Имс

Общего подхода к проектированию биполярных интегральных микросхем нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями в зависимости от требований и исходных данных ИМС. Исходными данными при конструировании микросхем являются: принципиальная электрическая схема с номинальными допусками на электрические параметры элементов, базовый технологический процесс с указанием технологических допусков. Принципиальная схема разрабатываемой ИМС широкополосного усилителя приведена на рисунке 1.1, а электрические параметры на данную схему в таблице 1.

Рисунок 1.1 – Принципиальная схема широкополосного усилителя

Таблица 1.

Номер резистора	Ri, кОм	γRi, %	PRi, мВт	Номер транзистора	Imaxэ, мА	Uкв, В	Номер диода	Igi, мА	Uкв, В
1,5	4,2	20	1,0	1-5	4	12	1,2	2,8	12
2,4	1,0	20	1,0	6,7	4	12
3	0,1	15	4,0	8,9	8	12
6	2,65	18	1,5
7	0,7	16	4,2	Tmax = 950C
8,9	5,4	20	1,0	Tmin = -500C

1.1 В

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать