Розрахунок та проектування приладу оптоелектроніки фототиристор

III РОЗРАХУНОК ПАРАМЕТ РІВ І ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОТРАНЗИСТОРА НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ

Параметри фото транзистора на гетеропереходах:

- ВАХ фототранзистора;

- Енергетичні характеристики;

- Спектральні характеристики;

- Пороговий потік Ф_n ;

- Виявляюча властивість Д;

- Коефіцієнт посилення на фотострумах ;

- Вольтова чутливість ;

- Тонова чутливість;

- Струмова чутливість з загальним емітером ;

Вихідні данні:

х₁ (GaAs) = 4,53 eB; х₁ (Ge) = 4,66 eB

φ₀ =0,15 eB; р ₀ =10¹⁴ см^-3 ;

I ₀ =10^{-12 A; n} ₀ =10¹⁵ см^-3 ;

Т= 300 К; q=1.6·10¹⁹ Кл

Діелектрична стала вираховується за формулами:

в області 3.1

в області 3.2

На межі гетеропереходів при х=0 повинна виконуватись умова безперервності нормальної складової електричної індукції:

3.3

φ₁ (х) і φ₂ (х), х=0 знаходимо

3.4

3.5

3.6

Повна контактна різниця потенціалів на межах гетеропереходів дорівнює співвідношенню:

3.7

Тепер знайдемо товщину об’ємного заряду:

Тепер розрахуємо товщину об’ємного заряду:

Вольт-амперна характеристика фототранзистора:

3.8

При , – зворотне зміщення.

При , – пряме зміщення.

I, A	0	100	200	300	400
U, B	0	3,86E-09	7,73E-09	1,16E-08	1,55E-08

Виходячи з отриманих результатів будуємо ВАХ

Рисунок 3.1 – Вольт-амперна характеристика фототранзистора

ВИСНОВКИ

Основною позитивною якістю фототиристорів – здатність переключати значні струми і напруги слабкими світловими сигналами – використовується в пристроях «силової» оптоелектроніки, таких, як системи управління виконавчими механізмами, випрямлячами ті перетворювачами.

Недоліком фототиристорів є велика інерційність, що обмежує їх використання в якості швидкодіючих вимикачів.

Цей пристрій використовується в керованих світлом випрямлячах та найбільш ефективний в управлінні сильними струмами при високих напругах.

ВИКОРИСТАНА ЛІТЕРАТУРА

1. Смірнов А.Г Квантова електроніка і оптоелектроніка. Мінськ. 1987р. – 196стр.

2. Фістуль В.І. Ведення в фізику напівпровідників. Москва. 1984р. – 352стр.

3. Шалімова К.В. Фізика напівпровідників. Москва. 1985р. – 392стр.

4. Пасинков В.В., Чирків Л.К. Напівпровідникові прилади. Москва. 1987р. – 480стр.

5. Мартинов В.Н., Кольцов Г.І. Напівпровідникова оптоелектроніка. Москва. 1999р. – 400стр.

6. Коган Л.М. Напівпровідникові світло-випромінюючі діоди. Москва. 1983р. – 208стр.

7. Уерт Ч., Томсон Р. Фізика твердого тіла. Москва. 1972р. – 558стр.

8. Пикус Г.Е. Основи теорії напівпровідникових приладів. Москва. 1965р. – 153стр.

9. Бьюб Р. Фотопровідність твердих тіл. Москва. 1962р. – 558стр.

10. Маслов А.А. Електронні напівпровідникові прилади. Москва. 1967р. – 398стр.

11. ГромовВ.С., Зайцев Ю.В. Напівпровідникові термоелектричні перетворювачі. Москва. 1985р. – 120стр.

12. Ривкін С.М. Фотоелектричні явища в напівпровідниках. Москва. 1963р. – 220стр.

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать