Расчет и проектирование диода на основе кремния

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ. 2

1ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ.. 4

1.1Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. 6

1.2Параметры полупроводниковых диодов. 8

1.3Силовые полупроводниковые выпрямительные диоды.. 10

1.5Низкочастотные параметры диода. 19

2РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния.. 22

2.1Расчет параметров диода. 22

2.2Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. 22

2.3Модуляция базы при высоких уровнях инжекции. 24

2.4Время жизни ННЗ: включение диодов и спад послеинжекционной эдс. 25

2.4Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. 27

2.6Расчет ВАХ при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния. 28

2.7Методы производства диодов. 29

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 32

ВЫВОДЫ.. 33

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.. 34

ВВЕДЕНИЕ

Силовая электроника первоначально возникла как область техники, связанная преимущественно с преобразованием различных видов электроэнергии на основе использования электронных приборов. В дальнейшем достижения в области полупроводниковых технологий позволили значительно расширить функциональные возможности, силовых электронных устройств и соответственно области их применения.

Однако, несмотря на интенсивное расширение функций аппаратов силовой электроники и областей их применения основные научно-технические проблемы и задачи, решаемые в области силовой электроники, связаны с. преобразованием электрической энергии.

Электроэнергия используется в разных формах: в виде переменного тока с частотой 50 Гц (за исключением США и некоторых других стран, где за основную принята частота 60 Гц) в виде постоянного тока (свыше 20% всей вырабатываемой электроэнергии), а также переменного тока повышенной частоты или токов специальной формы (например, импульсной и др.). Это различие в основном обусловлено многообразием и спецификой потребителей, а в ряде случаев (например, в системах автономного электроснабжения) и первичных источников электроэнергии.

Разнообразие в видах потребляемой и вырабатываемой электроэнергии вызывает необходимость ее преобразования. Основными видами преобразования электроэнергии являются:

1) выпрямление (преобразование переменного тока в постоянный);

2) инвертирование (преобразование постоянного тока в переменный);

3) преобразование частоты (преобразование переменного тока одной частоты в переменный ток другой частоты).

Существует также ряд других, менее распространенных видов преобразования: формы кривой тока, числа фаз и др. В отдельных случаях используется комбинация нескольких видов преобразования. Кроме того, электроэнергия может преобразовываться с целью улучшения качества ее параметров, например для стабилизации напряжения или частоты переменного тока. i

Основными элементами силовой электроники, ставшими базой для создания статических преобразователей, явились полупроводниковые приборы. Проводимость большинства полупроводниковых приборов в существенной мере зависит от направления электрического тока: в прямом направлении их проводимость велика, в обратном – мала (т. е. полупроводниковый прибор имеет два явно выраженных состояния: открытое и закрытое). Полупроводниковые приборы бывают неуправляемыми и управляемыми. В последних можно управлять моментом наступления их высокой проводимости (включением) посредством управляющих импульсов малой мощности. Первыми отечественными работами, посвященными исследованию полупроводниковых приборов и их использованию для преобразования электроэнергии были работы академиков В. Ф. Миткевича, Н. Д. Папелекси и др.

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода.

В качестве выпрямляющего электрического перехода в полупроводниковых диодах может быть электронно-дырочный переход, гетеропереход или выпрямляющий переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником (переход Шотки).

В диоде с p-n переходом или с гетеропереходом кроме выпрямляющего перехода должно быть два омических перехода, через которые p- и n-области диода соединены выводами (рис. 1.1,а). В диоде с выпрямляющим электрическим переходом в виде контакта между металлом и полупроводником всего один омический переход (рис. 1.1,б).

Рисунок 1.1 - Структура полупроводниковых диодов:

а) с выпрямляющим электрическим переходом в виде p-n перехода;

б) с выпрямляющим электрическим переходом на контакте между металлом и полупроводником;

В - выпрямляющие электрические переходы;

Н – невыпрямляющие (омические) переходы.

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные p-n переходы. Поэтому при полярности внешнего напряжения, при которой происходит понижение потенциального барьера в p-n переходе, то есть при прямом направлении для p-n перехода, количество носителей заряда, инжектированных из сильнолегированной в слаболегированной область, значительно больше, чем количество носителей, проходящих в противоположном направлении. Область полупроводникового диода, в которую происходит инжекция неосновных для этой области носителей заряда, называют базой диода. Следовательно, в диоде базовой областью является слабо

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать