Технологія випробування мікросхеми К155 ЛА7 за категорією К5

Міністерство освіти і науки України

Запорізька державна інженерна академія

Факультет електроніки та електронних технологій

Кафедра фізичної та біомедичної електроніки

Пояснювальна записка

до курсового проекту

з дисципліни: «Діагностика, контроль та випробування

напівпровідникових приладів»

на тему: «Технологія випробування

МС К155 ЛА7 за категорією К5»

Запоріжжя, 2009

РЕФЕРАТ

Курсовий проект містить: 45 сторінок, 8 рисунків, 1 таблицю, 2 плакати форматом А1, 14 джерел літератури.

Мета проекту: привести випробування мікросхеми за категорією К5

Задачі проекту:

- провести аналіз методів контролю в виробництві ІМ;

- провести випробування мікросхеми 155 серії ЛА7

В даному проекті розглядається обладнання, методи та технологія контролю в розробці інтегральних мікросхем. Описано проведення випробування за категорією К5 (випробування на багатократні удари, на зміни температури, на вологостійкість та на лінійне прискорення) мікросхеми серії 155. Призначення та область застосування мікросхем 155. Розглядається структура, зовнішній вигляд та конструкція камери тепла та холоду, камери тепла та вологи, стенду для випробування на багатократні удари, центрифуги.

КОНТРОЛЬ, РОЗРОБКА ІМС, КЛІМАТИЧНІ ВИПРОБУВАННЯ, НАДІЙНІСТЬ, МІКРОСХЕМА СЕРІЇ 155, КАМЕРИ ТЕПЛА ТА ХОЛОДУ, КАМЕРИ ТЕПЛА ТА ВОЛОГИ.

ЗМІСТ

Вступ

IМетоди контролю якості інтегральних мікросхем

1.1 Оптичні методи контролю

1.1.1 Візуально-оптичний метод

1.1.2 Інтерференційний метод

1.1.3 Поляризаційний метод

1.1.4 Фотометричний метод

1.1.5 Спектральний метод

1.1.6 Метод лазерного сканування

1.2 Методи контролю розподілу температурних полів

1.2.1 Контактні методи

1.2.2 Безконтактні методи

1.3 Радіаційні методи контролю

1.3.1 Рентгенівські методи

1.3.2 Фотоакустична спектроскопія (ФАС)

IIІнтегральна мікросхема К155 ЛА7

IIIВипробування інтегральної мікросхеми К155 ЛА7

3.1 Вплив зміни температури середовища

3.1.1 Механізм дії температур

3.1.2 Робота камери тепла і холоду

3.2 Випробування на багатократні удари

3.2.1 Механізм дії удару

3.2.2 Характеристики режимів випробування

3.2.3 Прилади для випробування

3.3 Випробування на вплив лінійного навантаження

3.4 Вплив підвищеної вологості

3.4.1 Процес випробування

3.4.2 Камери тепла і вологи

IV Випробування мікросхеми при ступені жорсткості i

Висновки

Використана література

ВСТУП

Якість та надійність інтегральних мікросхем (ІМ) визначається досконалістю матеріалів конструкції, відпрацьованістю та контрольованістю виробничих процесів.

Для контролю якості матеріалів та технологічних процесів виготовлення ІМ необхідно користуватися методами, що мають високу чутливість та точність. Ці методи повинні забезпечити:

- визначення концентрації домішки в діапазоні з точністю 1% та профілів розподілу легуючих домішок за глибиною з дозволяючою спроможністю біля на глибині ;

- вивчення структури та складу поверхневих шарів з чутливістю до 1% моноатомного шару на глибині до ;

- визначення поверхневих конфігурацій з дозволяючою спроможністю і точністю вимірювання відстані порядку на площині до ;

- візуалізація динаміки роботи готових (ІМ) та їх елементів і ін.

Необхідно зазначити, що істотний вплив на важливі параметри ІМ роблять процеси, що відбуваються на атомному та молекулярному рівнях, в мікробарах, мікрооб’ємах та особливо на поверхнітвердихтіл. Збільшення ступеня інтеграції призводить до різкого підвищення впливу стану поверхні твердого тіла на відтворення та працездатність ІМ. Тому дуже важливий розвиток методів дослідження та контролю поверхонь. До того ж під терміном «поверхня» розуміють межу двох фаз або двох матеріалів, що мають різні фізико-хімічні властивості (тверде тіло – вакуум, метал – напівпровідник). Товщина поверхневого шару визначається конкретними фізико-хімічними механізмами її «обурення» і може складатися з частин моноатомного шару до десятків моноатомних шарів.

I. МЕТОДИ КОНТРОЛЮ ЯКОСТІ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

При виробництві ІМ користуються різними методами контролю, які не змінюючи якості, параметри і характеристики ІМ, дозволяють за вторинними або безпосередніми ознаками знаходити дефекти, провести аналіз якості виготовлених ІМ та її елементів.

Неруйнівний контроль в порівнянні з іншими методами контролю має цілий ряд переваг: по-перше, дозволяє дослідити виріб в процесі розробки, виготовлення, та експлуатації; по-друге, може вводитися в технологічні процеси виробництва. Використання комплексу фізико-хімічних засобів неруйнівного контролю може на порядки зменшити інтенсивність відмов ІМ, виключити в деяких випадках довгострокові, дорогі і інколи малоінформативні руйнівні методи контролю.

Комбінації методів технологічного контролю дають настільки широкий комплекс інформації, що для його розшифровки та обробки потрібно більше часу, ніж для самих вимірювань. Тому необхідне широке використання обчислювальної техніки всіх рівнів – від мікропроцесорів до потужних електронних обчислювальних систем з широким колом задач: обробка інформації, розпізн

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать